技术问题:发热、抗干扰、封装问题、制造良率
技术难点:
首先是芯片,国外的功率模块主要使用半桥双通道芯片,只需要解决同一个硅衬底一个高压岛的电场变化,高集成模块需要设计出6通道以上的芯片,解决同一个硅衬底下多个高压岛间的耐压,ESD问题,难度倍增;
其次是发热,目前市面上的模块,虽然功能单一,但都一直受到热击穿问题的困扰,增加集成度,发热问题将更加凸显;
然后是抗干扰,功率模块需要工作在充满电流、电压噪声的环境中,经常会发生误触发,高集成化后,实现高频、低频,高压、低压间的隔离难度更大;
最后是制造良率,功率模块的封装比一般的半导体封装复杂得多,生产良率普遍不高,如果仅使用传统的封装线体来做高集成模块,势必导致良率低下,不具备可制造性。